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單室磁控濺射系統(tǒng)

作者:百檢網(wǎng) 時(shí)間:2021-11-11 來源:互聯(lián)網(wǎng)

主要技術(shù)指標(biāo)

單室磁控濺射系統(tǒng) 真空室尺寸:圓筒型真空室 ,Ф450 x350mm 真空系統(tǒng)配置:復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥 *限壓力:≤6.67x10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后) 恢復(fù)真空時(shí)間:40分鐘可達(dá)到6.6x10-4Pa (系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣) 磁控靶組件:永磁靶3套 靶配有屏蔽罩 電動(dòng)控制擋板 靶材尺寸Φ60mm ( 其中一個(gè)可以濺射磁性材料,一個(gè)可以實(shí)現(xiàn)射頻濺射) 各靶射頻濺射與直流濺射兼容,靶內(nèi)有水冷 三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心,靶與樣品距離90-110mm可調(diào) 當(dāng)直接向上濺射時(shí),靶與樣品距離40-80mm可調(diào) 單機(jī)片水冷加熱臺(tái): 基片結(jié)構(gòu) 基片加熱與水冷獨(dú)立工作,取下加熱爐可以換上水冷基片臺(tái) 樣品尺寸:Φ30mm 運(yùn)動(dòng)方式: 基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~10

主要功能/應(yīng)用范圍

磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),而上世紀(jì)發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰*表面引入磁場,利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

服務(wù)內(nèi)容

服務(wù)的典型成果

對外開放共享規(guī)定

參考收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)

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