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二次離子質(zhì)譜SIMS對半導體元素摻雜濃度的分析

作者:百檢網(wǎng) 時間:2022-05-16 來源:互聯(lián)網(wǎng)

在半導體工業(yè)中,對半導體加入特定雜質(zhì)的動作,稱為“摻雜”,這些外來雜質(zhì),使半導體的電性發(fā)生改變,隨著器件關鍵尺寸不斷縮小,對主要參數(shù)精度要求,也水漲船高,元素污染,能量污染或其他的某些因素,都會導致相關電性參數(shù)的失效現(xiàn)象,為此需要進行相關的檢測分析方法,常見方法有X射線光譜儀表面元素污染掃描,二次離子質(zhì)譜分析等。實驗室可以利用SIMS二次離子質(zhì)譜進行摻雜元素濃度檢測。

SIMS全稱二次離子質(zhì)譜(SecondIonMassSpectroscopy),是一種前沿的表面分析技術,原理是通過利用一次離子束不斷地轟擊靶材,使靶材表面的原子層出現(xiàn)濺射,濺射出正離子(團),負離子(團),中性粒子和光(電)子等,通過收集特定荷質(zhì)比的帶電粒子得到我們想要分析的表面元素信息;其超高的靈敏度,對某些元素的檢測*限能夠達到PPB的數(shù)量級。

SIMS選取的一次離子束的能量和電流密度,應根據(jù)所分析樣品的IMP元素種類和Rp值深度范圍,做出相應調(diào)整。避免造成嚴重破壞IMP深度分布曲線原貌進行摻雜工藝劑量分析時,應多次重復測量,劑量偏差不應超出3%。準確和直觀檢測出摻雜工藝的微小異常元素濃度的分析。

二次離子質(zhì)譜SIMS對半導體元素摻雜濃度的分析

各種元素受濺射域能等的影響,二次離子質(zhì)譜定性定量分析的難度增加,實驗室提供進行TOF-SIMS元素摻雜濃度分析,TOF-SIMS全稱飛行時間二次離子質(zhì)譜,一次離子源通常有剝離源和分析源,離子束對樣品表面進行轟擊產(chǎn)生的二次離子,通過對分子離子峰和官能團碎片的分析,可以方便的確定表面化合物和有機樣品的結(jié)構(gòu),決定了它在半導體表征方面具有的優(yōu)異而又獨特的功用,除此之外可以廣泛應用于化學,生物,制藥,微電子,空間分析等工業(yè)和研究領域。

實驗室遵照ISO17025和GMP進行實驗室管理,專注為生產(chǎn)過程中可能產(chǎn)生的雜質(zhì)提供評估報告、為方法開發(fā)驗證及樣品元素檢測等提供一系列的解決方案,常規(guī)檢測平均3天出結(jié)果,加急樣品支持當天到當天出報告。

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