標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 36477-2018
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for flash memory
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2018-06-07; 實(shí)施于2019-01-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2018-06-07
實(shí)施日期：2019-01-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.200
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.200
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）
起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院;上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;中興通訊股份有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;深圳市中興微電子技術(shù)有限公司;復(fù)旦大學(xué)
相近標(biāo)準(zhǔn)：20154240-T-339 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法; 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法; 20192063-T-339 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器（FLASH）; 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器（FLASH）; 半導(dǎo)體集成電路 串行NAND型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范; 半導(dǎo)體集成電路 串行NOR型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范; 20192064-T-339 半導(dǎo)體集成電路 霍爾電路測(cè)試方法; 半導(dǎo)體集成電路 霍爾電路測(cè)試方法; GB/T 14028-2018 半導(dǎo)體集成電路 模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法; 20182282-T-339 半導(dǎo)體集成電路 AC/DC測(cè)試方法