標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 32999-2016
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：表面化學(xué)分析 深度剖析 用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測量濺射速率
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Surface chemical analysis—Depth profiling—Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2016-10-13; 實(shí)施于2017-09-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2016-10-13
實(shí)施日期：2017-09-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號：71.040.40
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號：71.040.40
歸口單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
執(zhí)行單位：全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
主管部門：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位：北京師范大學(xué)分析測試中心;清華大學(xué)分析中心
采標(biāo)情況：本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ISO國際標(biāo)準(zhǔn)：ISO/TR 22335:2007。
采標(biāo)中文名稱:表面化學(xué)分析 深度剖析 用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測量濺射速率。
相近標(biāo)準(zhǔn)：20131700-T-469 表面化學(xué)分析 深度剖析 用機(jī)械輪廓儀柵網(wǎng)復(fù)型法測量濺射速率; GB/T 29557-2013 表面化學(xué)分析 深度剖析 濺射深度測量; 20110886-T-469 表面化學(xué)分析 深度剖析 濺射深度測量; 20192092-T-469 表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法; 表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法; GB/T 20175-2006 表面化學(xué)分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法; 20020617-T-469 表面化學(xué)分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法; 20193156-T-469 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法; 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法; 表面化學(xué)分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準(zhǔn)及相關(guān)電流或電流密度測量