標準號：GB/T 32651-2016
中文標準名稱：采用高質量分辨率輝光放電質譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法
英文標準名稱：Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
標準狀態：現行,發布于2016-04-25; 實施于2016-11-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2016-04-25
實施日期：2016-11-01
中國標準分類號：29.045
國際標準分類號：29.045
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
執行單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：國家太陽能光伏產品質量監督檢驗中心（無錫市產品質量監督檢驗中心）;國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心;中國電子技術標準化研究院;江蘇中能硅業科技發展有限公司;江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
相近標準：20120266-T-469 采用高質量分辨率輝光放電質譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法; GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法; 20131705-T-469 多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法; 鎳基變形高溫合金 痕量元素含量測定 輝光放電質譜法; YS/T 981.1-2014 高純銦化學分析方法 鎂、鋁、硅、硫、鐵、鎳、銅、鋅、砷、銀、鎘、錫、鉈、鉛的測定 高質量分辨率輝光放電質譜法; 20202774-T-469 鍺酸鉍(BGO)晶體 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法; 鍺酸鉍(BGO)晶體 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法; YS/T 35-2012 高純銻化學分析方法 鎂、鋅、鎳、銅、銀、鎘、鐵、硫、砷、金、錳、鉛、鉍、硅、硒含量的測定 高質量分辨率輝光放電質譜法; XB/T 628-2020 高純稀土金屬化學分析方法 痕量元素含量的測定 輝光放電質譜法; YS/T 1288.4-2018 高純鋅化學分析方法 第4部分：痕量元素含量的測定 輝光放電質譜法