標準號：GB/T 6616-2009
中文標準名稱：半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
英文標準名稱：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
標準狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2009-10-30; 實施于2010-06-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
中國標準分類號：29.045
國際標準分類號：29.045
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
執(zhí)行單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：萬向硅峰電子股份有限公司
全部替代標準：GB/T 6616-1995
采標情況：本標準修改采用其他國際標準：SEMI MF673-1105。
采標中文名稱:用非接觸渦流法測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。
相近標準：20065621-T-469 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法; GB/T 6616-1995 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法; 半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法; SJ/T 11487-2015 半絕緣半導體晶片電阻率的無接觸測量方法; GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法; GB/T 6620-1995 硅片翹曲度非接觸式測試方法; 20065631-T-469 硅片翹曲度非接觸式測試方法; 20202829-T-469 半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法; 半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法; GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接觸式標準測試方法