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ASTM F616M-1996 測量MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)排漏電流的標準測試方法(米制單位)

作者:百檢網(wǎng) 時間:2021-07-16

標準號:ASTM F616M-1996
中文標準名稱:測量MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)排漏電流的標準測試方法(米制單位)
英文標準名稱:Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)
標準類型:L42
發(fā)布日期:1999/12/31 12:00:00
實施日期:1999/12/31 12:00:00
中國標準分類號:L42
國際標準分類號:17.220.20 (Measurement of electrical and magnetic

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