20203728-T-469 碳化硅外延片表面缺陷的測試 顯微可見光法 正在起草
作者：百檢網 時間：2021-07-16
中文標準名稱：碳化硅外延片表面缺陷的測試 顯微可見光法
英文標準名稱：Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers- Microscopic method of visible light
標準狀態：正在起草
標準類型：國標計劃
發布日期：1999/12/31 12:00:00
實施日期：1999/12/31 12:00:00
國際標準分類號：77.040
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：蕪湖啟迪半導體有限公司
相近標準： ?碳化硅外延片表面缺陷的測試 顯微可見光法; ?碳化硅外延片; ?碳化硅晶體材料缺陷圖譜; ?碳化硅外延層厚度的測試 紅外
標準制修訂：制訂
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