標準號:GB/T 26068-2010
中文標準名稱:硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
英文標準名稱:Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
標準類型:H80
發布日期:2011/1/10 12:00:00
實施日期:2011/10/1 12:00:00
中國標準分類號:H80
國際標準分類號:29.045
引用標準:SEMI MF978;SEMI MF1388;SEMI MF1530;GB/T 1550;GB/T 1552;GB/T 1553-2009;GB/T 6616;GB/T 6618;GB/T 11446.1;GB/T 13389;GB/T 14264;YS/T 679-2008
適用范圍:1 本方法適用于測量均勻摻雜、經過拋光處理的n型或p型硅片的載流子復合壽命。本方法是非破壞性、無接觸測量。在電導率檢測系統的靈敏度足夠的條件下,本方法也可應用于測試切割或者經過研磨、腐蝕硅片的載流子復合壽命。2 被測硅片的室溫電阻率下限由檢測系統靈敏度的*限確定,通常在0.05?cm~1Ω?cm之間。3 分析工藝過程、檢查沾污源以及對測量數據進行解釋以判別雜質中心的形成機理和本質不在本方法范圍內。本方法僅在非常有限的條件下,例如通過對比某特定工藝前后載流子符合壽命測試值,可以識別引入沾污的工序,識別某些個別的雜質種類。
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