GB/T 1553-2009 硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
作者：百檢網(wǎng) 時間：2021-07-31
中文標準名稱：硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
英文標準名稱：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
標準類型：H80
發(fā)布日期：2009/10/30 12:00:00
實施日期：2010/6/1 12:00:00
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
引用標準：GB/T 1550-1997;GB/T 1551-2009;GB/T 14264-2009
適用范圍：本標準規(guī)定了硅和鍺單晶體內少數(shù)載流子壽命的測定方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測量。本標準為脈沖光方法。這種方法不破壞試樣的內在特性，試樣可以重復測試，但要求試樣具有特殊的條形尺寸和淹沒的表面，見表1。本標準可測的*低壽命值為10μs，取決于光源的余輝。不適用于拋光片的驗收測試。
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