標(biāo)準(zhǔn)號:20061346-T-339
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱:半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱:Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):正在批準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)類型:國標(biāo)計劃
發(fā)布日期:1999/12/31 12:00:00
實施日期:1999/12/31 12:00:00
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號:濟南市半導(dǎo)體元件實驗所
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號:31.080.30
歸口單位:全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
主管部門:工業(yè)和信息化部(電子)
起草單位:中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
相近標(biāo)準(zhǔn):GB/T 4586-1994 ?半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管;GB/T 6219-1998 ?半導(dǎo)體器件
標(biāo)準(zhǔn)制修訂:修訂
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