標準號：GB/T 33236-2016

　　中文標準名稱：多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法

　　英文標準名稱：Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

　　標準狀態：現行

　　中國標準分類號：(CCS)G04

　　標準分類號：(ICS)71.040.40

　　發布日期：2016-12-13

　　實施日期：2017-11-01

　　主管部門：標準化管理委員會

　　歸口單位：微束分析標準化技術委員會

主要起草單位

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所 。

主要起草人

　　卓尚軍 、錢榮 、董疆麗 、申如香 、盛成 、高捷 、鄭文平 。

相近標準(計劃)

　　20131705-T-469 多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法

　　20142685-T-610 高純銀化學分析方法 痕量雜質元素的測定 輝光放電質譜法

　　GB/T 36590-2018 高純銀化學分析方法 痕量雜質元素的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 899-2013 高純鉭化學分析方法 痕量雜質元素的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 897-2013 高純鈮化學分析方法 痕量雜質元素的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 895-2013 高純錸化學分析方法 痕量雜質元素的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 901-2013 高純鎢化學分析方法 痕量雜質元素的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 1288.4-2018 高純鋅化學分析方法 第4部分：痕量元素含量的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 1011-2014 高純鈷化學分析方法 雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法

　　YS/T 1012-2014 高純鎳化學分析方法 雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法