電子元器件失效分析 ----

?? 失效分析基本概念

?? 1.進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。

?? 2.失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現(xiàn)。

?? 3.失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式，如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。

?? 4.失效機理是指失效的物理化學過程，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。

?

?? 失效分析的意義

?? 1.失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。

?? 2.失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。

?? 3.失效分析為設(shè)計工程師不斷改進或者修復芯片的設(shè)計，使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。

?? 4.失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補充，為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。

?

?? 電子器件失效分析的種類：

?? 器件開路失效分析?????????? 電遷移失效?????????? EOS失效

?? 器件短路失效分析?????????? 腐蝕失效???????????? ESD分析

?? 器件參數(shù)漂移分析?????????? 潮敏失效分析???????? 機械應(yīng)力失效

?? 功能失效分析?????????????? 燒毀失效???????????? 各類元器件PFA分析

?

電子元器件檢測產(chǎn)品范圍：

失效分析流程及設(shè)備：

?

封裝級分析：

?

芯片級分析：

?

失效分析主要步驟和內(nèi)容

?? 芯片開封：

?? 去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準備。

?? SEM 掃描電鏡/EDX成分分析：

?? 包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、測量元器件尺寸等等。 探針測試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。

?? 鐳射切割：

?? 以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。

?? EMMI偵測：

?? EMMI微光顯微鏡是一種效率*高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。

?? OBIRCH應(yīng)用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試）：

?? OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補充。

?? LG液晶熱點偵測：

?? 利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像，找尋在實際分析中困擾設(shè)計人員的漏電區(qū)域（超過10mA之故障點）。

?? 定點/非定點芯片研磨：

?? 移除植于液晶驅(qū)動芯片 Pad上的金凸塊， 保持Pad完好無損，以利后續(xù)分析或rebonding。

?? X-Ray 無損偵測：

?? 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。

?? SAM (SAT)超聲波探傷：

?? 可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：o晶元面脫層，o錫球、晶元或填膠中的裂縫，o封裝材料內(nèi)部的氣孔，o各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。

?? 失效分析的一般程序

1、? 收集現(xiàn)場場數(shù)據(jù)

2、電測并確定失效模式

電測失效可分為連接性失效、電參數(shù)失效和功能失效。

連接性失效包括開路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測試，現(xiàn)場失效多數(shù)由靜電放電(ESD)和過電應(yīng)力(EOS)引起。

電參數(shù)失效，需進行較復雜的測量，主要表現(xiàn)形式有參數(shù)值超出規(guī)定范圍(超差)和參數(shù)不穩(wěn)定。

確認功能失效，需對元器件輸入一個已知的激勵信號，測量輸出結(jié)果。如測得輸出狀態(tài)與預計狀態(tài)相同，則元器件功能正常，否則為失效,功能測試主要用于集成電路。

三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復雜功能測試設(shè)備和測試程序的情況下，有可能用簡單的連接性測試和參數(shù)測試方法進行電測，結(jié)合物理失效分析技術(shù)的應(yīng)用仍然可獲得令人滿意的失效分析結(jié)果。

2、? 非破壞檢查

X-Ray檢測，即為在不破壞芯片情況下，利用X射線透視元器件(多方向及角度可選)，檢測元器件的封裝情況，如氣泡、邦定線異常，晶粒尺寸，支架方向等。

適用情境：檢查邦定有無異常、封裝有無缺陷、確認晶粒尺寸及layout

?? 優(yōu)勢：工期短，直觀易分析

?? 劣勢：獲得信息有限

?? 局限性：

?? 1、相同批次的器件，不同封裝生產(chǎn)線的器件內(nèi)部形狀略微不同;

?? 2、內(nèi)部線路損傷或缺陷很難檢查出來，必須通過功能測試及其他試驗獲得。

?? 4、打開封裝

?? 開封方法有機械方法和化學方法兩種,按封裝材料來分類，微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二*管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。

?? 機械開封

?? 化學開封

5、顯微形貌像技術(shù)

?? 光學顯微鏡分析技術(shù)

?? 掃描電子顯微鏡的二次電子像技術(shù)

?? 電壓效應(yīng)的失效定位技術(shù)

6、半導體主要失效機理分析

正常芯片電壓襯度像???? ????失效芯片電壓襯度像???? ????電壓襯度差像

?

?? 電應(yīng)力(EOD)損傷

?? 靜電放電(ESD)損傷

?? 封裝失效

?

引線鍵合失效：

?? 芯片粘接不良

?? 金屬半導體接觸退化

?? 鈉離子沾污失效

?? 氧化層針孔失效

?

案例分析：

?? X-Ray 探傷----氣泡、邦定線

?

X-Ray 真?zhèn)舞b別----空包彈(圖中可見，未有晶粒)

?

?????????? “徒有其表”?????????????????????? 這個才是貨真價實的

???

?

?

X-Ray用于產(chǎn)地分析(下圖中同品牌同型號的芯片)?? X-Ray 用于失效分析(PCB探傷、分析)

??????????

?

(下面這個密密麻麻的圓點就是BGA的錫珠。下圖我們可以看出，這個芯片實際上是BGA二次封裝的)