作者:百檢網 時間:2021-11-11 來源:互聯網
RIE源功率:0 - 600 W 刻蝕均勻性:±5% ( 4英寸 ) 裝片:一片4英寸,向下兼容任意規格樣品 刻蝕氣體:SF6,CF4,CHF3,Ar,O2
在反應離子刻蝕中,氣體放電產生的等離子體中有大量化學活性的氣體離子,這些離子與材料表面相互作用導致表面原子產生化學反應,生成可揮發產物。這些揮發產物隨真空抽氣系統被排走。隨著材料表層的“反應-剝離-排放”的周期循環,材料被逐層刻蝕到指定深度。除了表面化學反應外,帶能量的離子轟擊材料表面也會使表面原子濺射,產生一定的刻蝕作用。所以,反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。
主要用于Si,SiO2,SiNx的刻蝕以及光刻膠的去除等,廣泛應用于物理,生物,化學,材料,電子等領域。
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