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芯片分析的幾種方法與步驟

作者:百檢網 時間:2021-11-22 來源:互聯網

? ? 半導體器件芯片分析的幾種方法與步驟。分析手段一般包括:c-sam,x-ray,sem掃描電鏡,EMMI微光顯微鏡等。
? ?芯片分析手段:
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? ?1 C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:(1)。材料內部的晶格結構,雜質顆粒.夾雜物.沉淀物.(2) 內部裂紋。 (3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。
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? ?2 X-Ray(這兩者是芯片發生失效后**使用的非破壞性分析手段)
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? ?3 SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀(材料結構分析/缺陷觀察,元素組成常規微區分析,測量元器件尺寸)
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? ?4 EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發熱點,LC要借助探針臺,示波器)
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? ?5 FIB做一些電路修改。
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? ?6 Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試,ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試(有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試,有些客戶是失效發生后才想到要篩取良片送驗)這些已經提到了多數常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程,取die,decap(開封,開帽),研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等,有些也需要相應的儀器機臺,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray觀察封裝內部情況以及分層失效。
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? ?除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段,原子力顯微鏡AFM ,二次離子質譜 SIMS,飛行時間質譜TOF - SIMS ,透射電鏡TEM , 場發射電鏡,場發射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統,能量損失 X 光微區分析系統等很多手段,不過這些項目不是很常用。
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? ?分析步驟:
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? ?1 一般先做外觀檢查,看看有沒有crack,burnt mark 什么的,拍照;
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? ?2 非破壞性分析:主要是超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)--看有沒delamination,xray--看內部結構,等等;
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? ?3 電測:主要工具,萬用表,示波器,sony tek370a,現在好象是370b了;
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? ?4 破壞性分析:機械decap,化學 decap 芯片開封機。
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