標準簡介

本標準規定了具有單一熱流路徑的半導體器件結-殼熱阻Rth(J-C)的瞬態測試方法。 本標準適用于具有單一熱流路徑的半導體器件。
英文名稱：Junction-to-case thermal resistance transient test method of semiconductor devices
標準狀態：現行
替代情況：公告：貴州省市場監管局關于廢止152項貴州省地方標準的公告
中標分類：電子元器件與信息技術>>半導體分立器件>>L40半導體分立器件綜合
ICS分類：電子學>>半導體器件>>31.080.01半導體器件綜合
發布部門：貴州省質量技術監督局
發布日期：2016-04-01
實施日期：2016-10-01
作廢日期：2019-12-04
出版日期：2016-10-01
頁數：9頁

前言

本標準按照GB/T 1.1-2009《標準化工作導則 第1部分：標準的結構和編寫》給出的規則起草。請注意：本標準的某些內容可能涉及專利內容，本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。本標準使用重新起草法修改采用JESD 51-14 2010《測量具有單一熱流路徑的半導體器件結殼熱阻的瞬態雙界面測試法》。本標準與JESD 51-14 2010相比，在結構上增加了一章（4），刪除了一章（7）。本標準與JESD 51-14 2010的技術性差異及其原因如下：——將JESD 51-14 2010第4.2.1瞬態雙界面測量原理進行精簡后，寫入本標準5.4瞬態雙界面測量中，以增加可操作性；——刪除了JESD 51-14 2010 第4.2.2溫度控制散熱器部分，以適應我國的技術條件；——將JESD 51-14 2010第4.2部分定義的無/有導熱硅脂與熱油兩種測試狀態，重新定義為低/高導熱兩種測試狀態，以適應我國的技術條件；——根據JESD 51-14 2010測試原理，本標準增加了測試原理圖、測試時序圖，以增加可操作性；——本標準對兩條瞬態熱阻抗曲線的分離點確認和結-殼熱阻的計算只規定原理，不限制實現方法，以適應我國的技術條件。本標準做了下列編輯性修改：——將標準名稱修改為《半導體器件結-殼熱阻瞬態測試方法》；——將JESD 51-14 2010 第5章調整為本標準資料性附錄A；——關于規范性引用文件，調整如下：刪除了JESD 51-14 2010第2章[N1][N2][N3][N4][N5][N6][N7]；增加引用了GB/T 11499；增加引用了GB/T 14862；——刪除了JESD 51-14 2010附錄A、B、C、D。本標準由貴州省機械電子產品質量監督檢驗院提出。本標準由貴州省質量技術監督局歸口。本標準起草單位：貴州省機械電子產品質量監督檢驗院、中國振華集團永光電子有限公司。本標準主要起草人：李明貴、禹忠、付悅、岳萍、劉德軍、鐘健思、曹珩、章俊華、林小文、邵建平、馬靜。