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GB/T 1555-2009 半導體單晶晶向測定方法

作者：百檢網時間：2022-10-18

標準簡介

本標準規定了半導體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標準適用于測定半導體單晶材料大致平行于低指數原子面的表面取向。
英文名稱：Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 1555-1997
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：12頁

前言

本標準代替GB/T1555-1997《半導體單晶晶向測定方法》。本標準與GB/T1555-1997相比,主要有如下變化:---增加了術語章;---增加了干擾因素章;---將原標準定向推薦腐蝕工藝中硅的腐蝕時間5min改為硅的腐蝕時間3min~5min。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:楊旭、何蘭英。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;---GB/T1555-1997。

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