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GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

作者：百檢網(wǎng) 時間：2022-10-18

標準簡介

本標準規(guī)定了采用紅外光譜法測定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中間隙氧含量的測定。以常溫紅外設(shè)備測試時，氧含量（原子數(shù)）測試范圍從1×1016 cm-3到硅中間隙氧的*大固溶度；以低溫紅外設(shè)備測試時，氧含量（原子數(shù)）的測試范圍從0.5×1015 cm-3到硅中間隙氧的*大固溶度。
英文名稱：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 1557-2006
中標分類：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
ICS分類：冶金>>77.040金屬材料試驗
發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局.
發(fā)布日期：2018-09-17
實施日期：2019-06-01
出版日期：2018-09-01
頁數(shù)：12頁

前言

半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法相關(guān)標準

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