標準簡介

本標準規定了微電子技術用貴金屬可焊漿料的可焊性、耐焊性測定方法。 本標準適用于微電子技術用貴金屬可焊漿料的可焊性、耐焊性測定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法　可焊性、耐焊性試 驗》。 本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８相比，主要有如下變動： ———范圍去除“非貴金屬漿料可焊漿料亦可參照使用”內容； ———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定； ———將原標準厚膜隧道燒結爐，溫度范圍為室溫～１０００℃。改為：厚膜隧道燒結爐，*高使用溫度為１０００℃，控制精度在±５℃； ———將原標準控制焊料熔融溫度為２３５℃±５℃改為：根據不同的焊料確定溫度； ———將原標準“浸入和取出速度為（２５±５）ｍｍ／ｓ”刪除； ———將原標準“導體浸入焊料界面深度為２ｍｍ”改為“導體浸入焊料界面深度為２ｍｍ 以下”； ———將原標準“浸入時間為５ｓ±１ｓ。浸入時間為１０ｓ±１ｓ”改為“浸入時間根據不同漿料”確定； ———將原標準８．１．１中“在放大鏡下觀察，若基片印刷圖案導電膜接受焊錫的面積不小于９５％，則為可焊性好，小于９５％為可焊性差”修改為“在放大鏡下觀察，若基片印刷圖案導電膜接受焊 錫的面積不小于圖案面積的９／１０，則為可焊性好，小于９／１０為可焊性差”； ———將原標準８．１．２中“基片印刷圖案若有５％未焊的面積集中在某一角，則可焊性差”修改為“基片印刷圖案若有１／５未焊面積，則可焊性差”。
英文名稱：Test methods of precious metals pastes used for microelectronics - Determination of solderability and solderelaching resistance
標準狀態：現行
替代情況：被GB/T 17473.7-2022代替;替代GB/T 17473.7-1998
中標分類：冶金>>有色金屬及其合金產品>>H68貴金屬及其合金
ICS分類：冶金>>有色金屬>>77.120.99其他有色金屬及其合金
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2008-03-31
實施日期：2008-09-01
作廢日期：2022-10-01 ?即將作廢 距離作廢日期還有16天
出版日期：2008-06-01
頁數：4頁

前言

本標準是對gb/t17473-1998 《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》(所有部分)的整合修訂,分為7個部分:---gb/t17473.1-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定;---gb/t17473.2-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 細度測定;---gb/t17473.3-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定;---gb/t17473.4-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 附著力測試;---gb/t17473.5-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 粘度測定;---gb/t17473.6-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定;---gb/t17473.7-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性?耐焊性測定?本部分為gb/t17473-2008的第7部分?本部分代替gb/t17473.7-1998《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性?耐焊性試驗》?本部分與gb/t17473.7-1998相比,主要有如下變動:---范圍去除非貴金屬漿料可焊漿料亦可參照使用內容;---將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性?耐焊性測定;---將原標準厚膜隧道燒結爐,溫度范圍為室溫~1000℃?改為:厚膜隧道燒結爐,*高使用溫度為1000℃,控制精度在±5℃;---將原標準控制焊料熔融溫度為235℃±5℃改為:根據不同的焊料確定溫度;---將原標準浸入和取出速度為(25±5)mm/s刪除;---將原標準導體浸入焊料界面深度為2mm改為導體浸入焊料界面深度為2mm 以下;---將原標準浸入時間為5s±1s?浸入時間為10s±1s改為浸入時間根據不同漿料確定;---將原標準8.1.1中在放大鏡下觀察,若基片印刷圖案導電膜接受焊錫的面積不小于95%,則為可焊性好,小于95%為可焊性差。本部分由中國有色金屬工業協會提出。本部分由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。本部分由貴研鉑業股份有限公司負責起草。本部分主要起草人：李文琳、陳伏生、馬曉峰、朱武勛、李晉。本部分所代替標準的歷次版本發布情況為：---ｇｂ／ｔ１７４７３．７-１９９８。