標(biāo)準(zhǔn)簡介

本部分規(guī)定了電磁輻射對設(shè)備影響和所關(guān)心設(shè)備電磁輻射發(fā)射的試驗(yàn)方法。 本部分的目的是建立一個(gè)使用混波室評估電氣和/或電子設(shè)備在射頻電磁場中的性能和確定電氣電子設(shè)備的輻射發(fā)射等級的通用規(guī)范。
英文名稱：Electromagnetic compatibility—Testing and measurement techniques—Reverberation chamber test methods
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
中標(biāo)分類：>>>> ?>>>>06
ICS分類：33.100.10;33.100.20
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2014-12-22
實(shí)施日期：2015-06-01
出版日期：2015-06-01
頁數(shù)：88頁

前言

GB/T17626《電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù)》目前包括以下部分:———GB/T17626.1—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論———GB/T17626.2—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.3—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.4—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.5—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.6—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度———GB/T17626.7—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測量及測量儀器導(dǎo)則———GB/T17626.8—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 工頻磁場抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.9—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 脈沖磁場抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.10—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 阻尼振蕩磁場抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.11—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.12—2013 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.13—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號的低頻抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.14—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電壓波動抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.15—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 閃爍儀 功能和設(shè)計(jì)規(guī)范———GB/T17626.16—2007 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.17—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.21—2014 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 混波室試驗(yàn)方法———GB/T17626.24—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法———GB/T17626.27—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.28—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.29—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)———GB/T17626.30—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 電能質(zhì)量測量方法———GB/T17626.34—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 主電源每相電流大于16A 的設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)本部分是 GB/T17626的第21部分。本部分按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-21:2011(第2版)《電磁兼容(EMC) 第21部分:試驗(yàn)和測量技術(shù)-混波室試驗(yàn)方法》。與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下:———GB/T2421.1—2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 概述和指南(IEC60068-1:1998,IDT)———GB/T4365—2003 電工術(shù)語 電磁兼容[IEC60050(161):1990,IDT]———GB/T6113.101—2008 無線電騷擾和抗擾度測量設(shè)備規(guī)范 第1-1部分:無線電騷擾和抗擾度測量設(shè)備 測量設(shè)備(CISPR16-1-1:2006,IDT)———GB/T6113.203—2008 無線電騷擾和抗擾度測量設(shè)備規(guī)范 第2-3部分:無線電騷擾和抗擾度測量方法 輻射騷擾測量(CISPR16-2-3:2003,IDT)———GB/T17626.3—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 射頻電磁場輻射 抗 擾 度 試 驗(yàn) (IEC61000-4-3:2002,IDT)本部分做了如下編輯性修改:———去除了原標(biāo)準(zhǔn)中的IEC、IEEE、IEV、ISO 等縮略語定義;———根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)上下文,附錄 K 中式(K.5)上一行的“(2)和(3)”修改為式“(K.3)和 式(K.4)”;附錄K 中式(K.9)上一行的“(7)”修改為式“(K.7)”;———IEC61000-4-21:2003中“calibration”在IEC61000-4-21:2011中修改為“validation”,但有部分未 作 修 改。 在 本 部 分 中,根 據(jù) 原 標(biāo) 準(zhǔn) 的 上 下 文 關(guān) 系,將 部 分 “calibration”修 改 為“validation”,譯為“確認(rèn)”,如 C.1.2中注2第2行、C.1.2中注3第1行等;———根據(jù)公式推導(dǎo),附錄 K.2中“N 和N-1分別用 N ×M 和(N - (-1))×(M -(-1))代替”修改為“N 和N-1分別用 N×M 和(N-1)×(M -1)代替”。本部分由全國電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC246)提出并歸口。本部分起草單位:東南大學(xué)、上海出入境檢驗(yàn)檢疫局、中國電力科學(xué)研究院、上海市計(jì)量測試技術(shù)研究院、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中國計(jì)量科學(xué)研究院。本部分主要起草人:周香、周忠元、張嫻、景莘慧、蔣全興、李妮、龔增、陳俐、謝鳴。