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GB/T 14144-2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

作者：百檢網時間：2022-10-20

標準簡介

本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。
英文名稱：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 14144-1993
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：12頁

前言

本標準修改采用SEMIMF1188??1105《用紅外吸收法測量硅中間隙氧原子含量的標準方法》。本標準與SEMIMF1188??1105相比,主要有如下不同:---增加了測量點選取方案;---標準編寫按GB/T1.1格式,部分SEMI標準中的章節進行了合并和整理。本標準代替GB/T14144-1993《硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》。本標準與原標準相比,主要有如下變化:---氧含量測量范圍進行了修訂;---增加了測量儀器、術語和干擾因素章節;---增加了采用經認證的硅中氧含量標準物質對光譜儀進行校準的內容;---將原標準中本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶體改為本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶;---樣品厚度范圍修改為0.04cm~0.4cm。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:楊旭、江莉。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB/T14144-1993。

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