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GB/T 14863-2013 用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的方法

作者：百檢網時間：2022-10-21

標準簡介

本標準規定了用柵控和非柵控二*管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的測試方法。本標準適用于外延層厚度不小于某一*小厚度值相同或相反導電類型襯底上的n型或p型外延層的凈載流子濃度測量。本標準也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測量。
英文名稱：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 14863-1993;廢止公告：國家標準公告2017年第31號
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2013-12-31
實施日期：2014-08-15
出版日期：2014-08-15
頁數：16頁

前言

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準代替GB/T14863—1993《用柵控和非柵控二*管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法》。本標準與GB/T14863—1993相比,主要有下列變化:———增加了標準的“前言”;———調整并增加了引用標準;———對試驗條件、試驗方法進行了簡化和調整;———對附錄進行了調整。本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。本標準由中國電子技術標準化研究院歸口。本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院。本標準主要起草人:何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:———GB/T14863—1993。

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