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GB/T 1553-2009 硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

作者：百檢網時間：2022-10-21

標準簡介

本標準規定了硅和鍺單晶體內少數載流子壽命的測量方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數載流子壽命的測量。
英文名稱：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 1553-1997
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數：16頁

前言

本標準代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法》。本標準與原標準相比,主要有如下變化:---新增加少子壽命值的測量下限范圍;---刪除了有關斬切光的內容;---本標準將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測試儀器并為第6章測量儀器;---本標準增加了術語章和體壽命的解釋;---本標準在干擾因素章增加了對各干擾因素影響的消除方法。本標準的附錄A 為規范性附錄。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人:江莉、楊旭。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。

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