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GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法

作者：百檢網(wǎng) 時間：2022-10-22

標準簡介

本標準規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。本標準適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進行)等化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測量。
英文名稱：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
中標分類：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.99金屬材料的其他試驗方法
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期：2011-01-10
實施日期：2011-10-01
出版日期：2011-10-01
頁數(shù)：16頁

前言

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。本標準由中國科學院半導體研究所負責起草。本標準主要起草人:陳涌海、趙有文、提劉旺、王元立。

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