YS/T 679-2008 非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法
作者：百檢網 時間：2022-10-29
標準簡介
本標準適用于非本征單晶半導體材料樣品或相同導電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質外延層中的少數載流子擴散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于4倍的擴散長度。 本標準修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法》。本標準與SEMI MF 391-1106相比主要有如下變化：———標準格式按GB/T 1.1要求編排；———將SEMI MF 391-1106中的部分注轉換為正文；———將SEMI MF 391-1106中部分內容進行了編排。英文名稱：Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-steady-state surface photovoltage
標準狀態：作廢
替代情況：被YS/T 679-2018代替
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家發展和改革委員會
發布日期：2008-03-12
實施日期：2008-09-01
作廢日期：2019-04-01
出版日期：2008-05-01
頁數：16頁
前言
本標準修改采用SEMIMF391-1106《非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法》。本標準與SEMIMF391-1106相比主要有如下變化:---標準格式按GB/T1.1要求編排;---將SEMIMF391-1106中的部分注轉換為正文;---將SEMIMF391-1106中部分內容進行了編排。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會提出并歸口。本標準由有研半導體材料股份有限公司負責起草。本標準主要起草人:孫燕、盧立延、杜娟、李俊峰、翟富義。相關標準
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