YS/T 23-1992 硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法
作者：百檢網 時間：2022-10-30
標準簡介
本標 準 規(guī) 定了根據堆垛層錯尺寸測量硅處延層厚度的方法本標 準 適 用于在<111>,tloo>和(110)晶向的硅單晶襯底仁生長的硅外延層厚度的測縫外延 層 中 應存在著發(fā)育完整的堆垛層錯，其大小可用干涉相襯顯微鏡r:接觀察(非破壞性的)，或經化學腐蝕后用金相顯微鏡觀察(破壞性的)。測量范圍為2^75 um.標準狀態(tài)：作廢
替代情況：被YS/T 23-2016代替
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門：中國有色金屬工業(yè)總公.
發(fā)布日期：1992-03-09
實施日期：1993-01-01
作廢日期：2016-09-01
出版日期：1993-01-01
頁數：3頁
前言
半金屬與半導體材料綜合相關標準相關標準
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