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半導體設備保護用熔斷體檢測

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半導體設備保護用熔斷體檢測

總則

除IEC 60269-1:2006規定外,補充下列要求。半導體設備保護用熔斷體應符合IEC 60269-1:2006所有要求,并且還應符合本部分規定的補充要求。

范圍和目的

本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體,該熔斷體適用于標稱電壓不超過交流1000 V或直流1500 V的電路。如適用,還可用于更高的標稱電壓的電路。

注1:此類熔斷體通君稱為“半導體熔斷體”。

注2r在多數情況下,組合設備的一部分可用作熔斷器底座。由于設備的多樣性,難以作出一般的規定﹔組合設備

是否適合作熔斷器底座,宜由用戶與制造廠協商。但是,如果采用獨立的熔斷器底座或熔斷器支持件,他們應符合IEC 60269-1:2006的相關要求。

注3:IEC60269-6專用于太陽能光伏系統的保護。

本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性,從而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔斷體替換半導體熔斷體。因此,本部分中特別規定了:

a)熔斷體的下列特性:

1)額定值;

2)正常工作時的溫升;3)耗散功率﹔

4)時間-電流特性;5)分斷能力;

6)截斷電流特性和It 特性;7)電弧電壓特性。

b)驗證熔斷體特性的型式試驗;)熔斷體標志﹔

d應提供的技術數據(見附錄BB)。

檢測標準

序號 檢測標準 檢測對象 檢測項目
1 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 分斷能力驗證
2 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 溫升和耗散功率
3 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 約定不熔斷電流
4 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 約定熔斷電流
5 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 過載能力驗證
6 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 額定電流驗證
7 低壓熔斷器 第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求 半導體設備保護用熔斷體 熔斷器支持件的布置

檢測報告作用：

1、項目招投標：出具權威的第三方CMA/CNAS資質報告；

2、上線電商平臺入駐：質檢報告各大電商平臺認可；

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4、論文及科研：提供專業的個性化檢測需求；

5、司法服務：提供科學、公正、準確的檢測數據；

6、工業問題診斷：驗證工業生產環節問題排查和修正；

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1、電話溝通、確認需求；

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3、郵寄樣品、安排檢測；

4、進度跟蹤、結果反饋；

5、出具報告、售后服務；

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