主要用于無機材料微結(jié)構(gòu)與微區(qū)組成的分析和研究,儀器的功能包括:
(1)電子衍射:選區(qū)衍射、微束衍射、會聚束衍射;
(2)成像:明場像(BF)、暗場像(DF)、衍射像、高分辨像(HREM)、掃描透射像,環(huán)角暗場像(HAADF);
(3)微區(qū)成分:EELS和EDS能譜的點、線和面分析;
應用范圍:
(1)材料范圍:除磁性材料之外的任何無機材料,包括粉體、薄膜和塊材;不適用于有機和生物材料。
(2)表征范圍:微觀形貌、顆粒尺寸、微區(qū)組成、元素分布、元素價態(tài)和化學鍵、晶體結(jié)構(gòu)、相組成、結(jié)構(gòu)缺陷、晶界結(jié)構(gòu)和組成等。
產(chǎn)品名稱 | 檢測項目 | 檢測標準 |
5B~92U | FIB+HRTEM+EDS 半導體薄膜領域 | |
5B~92U | FIB+TEM+EDS 半導體LED領域 | |
5B~92U | 磨拋+離子減薄+HRTEM 量子阱領域 |
.?儀器參數(shù)?
加速電壓 | 200KV |
高分辨*靴(S-TWIN) | |
點分辨率 | 0.24nm |
線分辨率 | 0.14nm |
STEM(HAADF)分辨率 | 0.19nm |
電子束能量色散 | <0.7eV |
*大束流 | >100nA |
1nm束斑*大束流 | >0.5nA |
樣品*大傾斜角 | ±40° |
EELS(Gatan Enfina)能量分辨率 | 0.7eV |
EDAX能譜儀 (EDS) | 5B~92U |
能量分辨率 | ~130eV(Mn KL線) |
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