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GB/T 12963-2009 硅多晶

作者：百檢網 時間：2022-10-19

標準簡介

本標準規定了硅多晶的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、運輸、貯存。 本標準適用于以三氯氫硅或四氯化硅用氫還原法制得的硅多晶。
英文名稱：Specification for polycrystalline silicon
標準狀態：作廢
替代情況：GB/T 12963-1996;被GB/T 12963-2014代替
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H82元素半導體材料
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
作廢日期：2015-09-01
出版日期：2010-06-01
頁數：8頁

前言

本標準修改采用SEMIM16??1103:2003《多晶硅規范》,主要差異如下:---增加了技術參數,如對基磷、基硼電阻率、碳濃度和n型少子壽命的等級要求;---增加了硅多晶尺寸范圍要求。本標準代替GB/T12963-1996《硅多晶》。本標準與GB/T12963-1996相比,主要有如下變動:---基磷電阻率等級由300Ω·cm、200Ω·cm、100Ω·cm 修訂為500Ω·cm、300Ω·cm、200Ω·cm;---增加氧化夾層術語。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:峨眉半導體材料廠。本標準主要起草人:羅莉萍、張輝堅、王炎。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:---GB/T12963-1991、GB/T12963-1996。

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