標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)用于標(biāo)稱圓形晶片邊緣平直部分長度小于等于65mm 的電學(xué)材料。本標(biāo)準(zhǔn)僅對硅片精度進(jìn)行確認(rèn),預(yù)期精度不因材料而改變。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于仲裁測量,當(dāng)規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測能夠獲得的精度時,本標(biāo)準(zhǔn)也可用于常規(guī)驗(yàn)收測量。
英文名稱：Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
替代情況：替代GB/T 13387-1992
中標(biāo)分類：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
頁數(shù)：12頁

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF671??0705《硅及其他電子材料晶片參考面長度測試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF671??0705相比主要有如下變化:---標(biāo)準(zhǔn)編寫格式按GB/T1.1要求進(jìn)行編寫;---增加了前言內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13387-1992《電子材料晶片參考面長度測試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T13387-1992相比主要有如下變化:---細(xì)化了測量范圍的內(nèi)容,如該方法中涉及的公英制單位等;---增加了該方法的局限性內(nèi)容;---增加了部分術(shù)語,定義了測量中用到的偏移;---增加了引用標(biāo)準(zhǔn);---將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣改為抽樣章節(jié);---將校準(zhǔn)和測量分為兩章分別敘述;---精密度采用了SEMIMF671??0705中多個實(shí)驗(yàn)室間的評價(jià),并附有較詳細(xì)的說明。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T13387-1992。