標準簡介

本標準規定了摻硼、摻磷、摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關系，該換算關系也適用于摻銻硅單晶，還可擴展至硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。 　　 本標準適用于摻硼濃度1014 cm-3～1×1020cm-3，摻磷濃度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，摻砷濃度1019 cm-3～6×1020cm-3。對摻硼、摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴展到1012cm-3。 本標準也可用于在23℃下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算，但不包括對砷摻雜劑的載流子濃度換算，或任何其他載流子濃度的換算。
英文名稱：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
標準狀態：現行
替代情況：替代GB/T 13389-1992
中標分類：>>>> ?>>>>80
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2014-12-31
實施日期：2015-09-01
出版日期：2015-09-01
頁數：32頁

前言

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準代替 GB/T13389—1992《摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑 濃 度 換 算 規 程》,參 照 SEMIMF723-0307《摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程》對 GB/T13389—1992進行修訂。本標準與 GB/T13389—1992相比,主要有以下變化:———增加了公式(5)、(6)、(7),即砷的摻雜劑濃度換算電阻率、摻硼硅單晶電阻率換算空穴濃度和摻磷硅單晶電阻率換算電子濃度的公式以及相應的適用范圍;———由于所有公式都是經驗公式或是試驗結果,因此本標準中給出了公式的試驗依據以便于使用者更好地了解和使用這些換算規程;———增加干擾因素(見第6章);———增加了附錄和參考文獻。請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)和全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位:有研半導體材料股份有限公司、四川新光硅業科技有限責任公司、中國計量科學研究院、浙江省硅材料質量檢驗中心、杭州海納半導體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司。本標準主要起草人:孫燕、梁洪、高英、樓春蘭、張靜、王飛堯、曹孜、何良恩、張海英、張群社。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:———GB/T13389—1992。