標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

GB/T17626的本部分規(guī)定了高空電磁脈沖(HEMP)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法。它主要包括 電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn),以及在HEMP條件下,電壓(u)和電流(i)作為時(shí)間函數(shù)快速變化時(shí) 的殘余電壓的測(cè)量方法。
英文名稱：Electromagnetic compatibility - Testing and measurement techniques - Test methods for protective devices for HEMP conducted disturbance
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
中標(biāo)分類：電子元器件與信息技術(shù)>>電子元器件與信息技術(shù)綜合>>L06電磁兼容
ICS分類：電信、音頻和視頻技術(shù)>>33.100電磁兼容性(EMC)
發(fā)布部門：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
發(fā)布日期：2012-11-05
實(shí)施日期：2013-02-01
出版日期：2013-02-01
頁(yè)數(shù)：12頁(yè)

前言

GB/T17626《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》分為以下幾個(gè)部分:GB/T17626.1—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論GB/T17626.2—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T17626.7—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則GB/T17626.8—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.9—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.10—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.11—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.12—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.13—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.14—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.15—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 閃爍儀 功能和設(shè)計(jì)規(guī)范GB/T17626.16—2007 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.17—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.24—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法GB/T17626.27—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.28—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.29—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.30—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電能質(zhì)量測(cè)量方法本部分為GB/T17626的第24部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-24:1997《電磁兼容(EMC) 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 第4-24部分:HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法》。本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC246)歸口。本部分負(fù)責(zé)起草單位:中國(guó)電力科學(xué)研究院。本部分參與起草單位:國(guó)網(wǎng)電力科學(xué)研究院。本部分主要起草人:鄔雄、萬(wàn)保權(quán)、張建功、張廣洲、李妮、張澤平。