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GB/T 14145-1993 硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法

作者：百檢網時間：2022-10-20

標準簡介

本標準規定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測量硅外延層堆垛層錯密度的方法。本標準適用于硅外延層厚度不小于3μm、外延層晶向偏離｛111｝晶面或｛100｝晶面角度較小的試樣的堆垛層錯密度測量。當堆垛層錯密度超過15000cm-2或當外延層晶向與｛111｝晶面或｛100｝晶面偏離角度較大時，測量精度將有所降低。
英文名稱：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
標準狀態：作廢
中標分類：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H24金相檢驗方法
ICS分類：29.040.30
發布部門：國家技術監督局
發布日期：1993-02-06
實施日期：1993-10-01
作廢日期：2005-10-14
頁數：平裝16開，頁數：5，字數：6千字

前言

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