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GB/T 32282-2015 氮化鎵單晶位錯密度的測量 陰極熒光顯微鏡法

作者:百檢網(wǎng) 時間:2022-10-22

標準簡介

本標準規(guī)定了用陰*熒光顯微鏡法測試氮化鎵單晶位錯密度的方法。 本標準適用于位錯密度在1×103 個/cm2~5×108 個/cm2 之間的氮化鎵單晶中位錯密度的測試。
英文名稱:Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
標準狀態(tài):現(xiàn)行
中標分類:冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
ICS分類:冶金>>77.040金屬材料試驗
發(fā)布部門:國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
發(fā)布日期:2015-12-10
實施日期:2016-11-01
出版日期:2016-11-01
頁數(shù):12頁

前言

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位:中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司。本標準主要起草人:曾雄輝、張燚、董曉鳴、牛牧童、劉爭暉、邱永鑫、王建峰、徐科。

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