GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法
作者：百檢網 時間：2022-10-24
標準簡介
本標準規定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測試方法,包括接觸式和非接觸式兩種方式。本標準適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13mm~1mm 的碳化硅單晶片英文名稱：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
標準狀態：現行
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H83化合物半導體材料
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2014-07-24
實施日期：2015-02-01
出版日期：2015-02-01
頁數：8頁
前言
本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位:中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院。本標準主要起草人:丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會川。相關標準
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