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GB/T 30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測定化學腐蝕法

作者：百檢網時間：2022-10-24

標準簡介

本標準規定了利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測定碳化硅單晶微管密度的方法。本標準適用于碳化硅單晶微管密度的測定。
英文名稱：Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching
標準狀態：現行
中標分類：冶金>>半金屬與半導體材料>>H83化合物半導體材料
ICS分類：電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2014-07-24
實施日期：2015-02-01
出版日期：2015-02-01
頁數：8頁

前言

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)及材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位:中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院。本標準主要起草人:丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會川。

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