標準簡介

T 4937的本部分的目的是驗證半導體器件的材料、設計、結構、標志和工藝質量是否符合適用的采購文件的要求。外部目檢是非破壞性試驗，適用于所有的封裝類型。本試驗用于鑒定檢驗、過程監控、批接收。
英文名稱：Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination
標準狀態：現行
中標分類：電子元器件與信息技術>>半導體分立器件>>L40半導體分立器件綜合
發布部門：國家質量監督檢驗檢疫.
發布日期：2012-11-05
實施日期：2013-02-15
出版日期：2013-02-15
頁數：8

前言

GB/T4937《半導體器件 機械和氣候試驗方法》由以下部分組成:———第1部分:總則;———第2部分:低氣壓;———第3部分:外部目檢;———第4部分:強加速穩態濕熱試驗(HAST);———第5部分:穩態溫濕度偏置壽命試驗;———第6部分:高溫貯存;———第7部分:內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析;———第8部分:密封;———第9部分:標志耐久性;———第10部分:機械沖擊;———第11部分:快速溫度變化 雙液槽法;———第12部分:變頻振動;———第13部分:鹽氣;———第14部分:引線牢固性(引線強度);———第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱;———第16部分:粒子碰撞噪聲檢測(PIND);———第17部分:中子輻射;———第18部分:電離輻射(總劑量);———第19部分:芯片剪切強度;———第20部分:塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱;———第21部分:可焊性;———第22部分:鍵合強度;———第23部分:高溫工作壽命;———第24部分:加速耐濕 無偏置強加速應力試驗;———第25部分:溫度循環;———第26部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗 人體模式(HBM);———第27部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗 機械模式(MM);———第28部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗 器件帶電模式(CDM)(考慮中);———第29部分:門鎖試驗;———第30部分:非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理;———第31部分:塑封器件的易燃性(內部引起的);———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);———第33部分:加速耐濕 無偏置高壓蒸煮;———第34部分:功率循環;———第35部分:塑封電子元器件的聲學掃描;———第36部分:恒定加速度;———第37部分:手持電子產品用元器件桌面跌落試驗方法; ———第38部分:半導體器件的軟錯誤試驗方法;———第39部分:半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量。本部分是GB/T4937的第3部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-3:2002《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分:外部目檢》。為便于使用,本部分做了下列編輯性修改:a) 用小數點“.”代替作為小數點的逗號“,”;b) 刪除國際標準的前言。本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出。本部分由全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)歸口。本部分起草單位:中國電子科技集團公司第十三研究所。本部分主要起草人:陳海蓉、李麗霞、崔波。